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叙述:深入探讨可控硅的正向与反向阻隔机制

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发表于 2024-9-4 19:47:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

可控硅是一种具有单向导电性能的重要半导体元件,广泛应用于电力电子领域。本文对可控硅的正向和反向阻隔机制进行了深入分析,并探讨了其在DAC8228FPZ稳压器、直流输电、电机控制及电力系统保护等方面的应用,为理解可控硅的工作原理和际应用提供了参考。从需求端看开关电源更符合消费者的心理预期,愿意为心仪的事物买单。壹芯微科技技术力量雄厚,首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有丰富的研发生产经验,公司与国内外一流半导体企业定期举行技术交流并与华南理工大学建立长期研发合作关系,公司建立了高标准的二三极管可靠性实验室,配备了大量先进的专用设备。http://www.szyxwkj.com/article/sr340ejgcs_1.html

可控硅(T)它是一种具有单向导电性能的半导体元件,广泛应用于电力电子技术行业。可控硅有两种屏障:正向屏障和反向屏障。以下是对这两种屏障的解读。
1、正向阻隔情况
正向阻隔是指在正向电流的影响下,可控硅处于非导通状态。在这种状态下,可控硅的阳极氧化(A)与负极(C)它们之间有一个正电流,但是可控硅导电。正向阻隔的形成与可控硅的结构和工作原理密切相关。
可控硅主要由四层半导体器件组成,分别为P1、N1、P2和N2。P1和P2是P型半导体材料,N1和N2是N型半导体材料。根据PN结连接,四层半导体器件形成四层端的结构。可控硅的个接线端子分别是阳极氧化(A)、负极(C)和门极(G)。
阳极和阴极之间存在正电流,但可控硅导电。由于P1和N1之间、P2和N2之间存在可控硅内部结构中的PN结。当正电流增加到阳极和阴极之间时,P1和N1之间的PN结处于正参考点,而P2和N2之间的PN结处于反向偏置状态。在这种情况下,可控硅内部的PN结阻挡了电流的流动性,使可控硅处于阻挡状态。
正向阻隔的产生也与可控硅的门极有关。在正向阻隔的情况下,门极没有接收到控制信号,因此可控硅内部的PN结很难形成导电安全通道。只有当门极接收到足够的控制信号时,可控硅才能从正向阻隔转变为导通状态。
2、反向阻隔情况
反向阻隔是指可控硅在反向电压的影响下处于非导电状态。在这种状态下,可控硅的阳极和阴极之间有反向电压,但可控硅导电。反向阻隔状态下的产生与可控硅的结构和工作原理密切相关。
在反向阻隔的情况下,阳极和阴极之间有一个反向电压,P1和N1之间的PN结处于反向偏置状态,而P2和N2之间的PN结处于正向参考点。由于PN结的单向导电性能,PN结在反向偏置状态下阻挡电流流动性,使可控硅处于阻隔状态。
反向阻隔的产生也与可控硅的门极有关。在反方向阻隔的情况下,门极仍然没有接收到控制信号,因此可控硅内部的PN结很难形成导电安全通道。即使在反向电压的影响下,可控硅也不会导电。
3、控制硅的关闭和阻隔系统
可控硅的关闭和阻隔机制与其内部的PN结和门极密切相关。在正向阻隔条件下,可控硅内部的PN结阻挡了电流的流动性,而门极没有接收到控制信号,难以形成导电安全通道。可控硅只有在门极接收到足够的控制信号时,才能从正向阻隔条件转变为导通条件。
在导电状态下,可控硅内部的PN结形成了导电安全通道,促进了阳极和阴极之间的电流流动。此时,可控硅的正电流减少,接近于零。导电状态下的可控硅通断压力降低极低,通断消耗极小,因此在电力电子技术行业得到了广泛的应用。
当可控硅必须从导通状态转变为阻隔状态时,可以通过降低阳极和阴极之间的中间电压来现。当工作电压降至可控硅保持工作电压以上时,可控硅内部的PN结会再次阻挡电流流动性,使可控硅回到正方向。
4、可控硅的应用
可控硅在电力电子技术领域得到了广泛的应用,主要包括以下几个方面:
(1)沟通交流稳压器:可控硅可用作沟通交流稳压器。通过调节可控硅的通断和阻隔,可以调节交流电流。
(2)DC输电:高压DC可控硅输电(HVDC)用于控制DC电压和电流的系统软件起着主导作用。
(3)电机控制系统:可控硅可作为电机控制系统行业,完成电机启动、变速、制动系统等服务。
(4)电力系统保护:可控硅可用于电力系统的过压保护、过流保护等,提高电力系统的稳定性和安全性。
(5)电能质量分析改进:可控硅可用于电能质量分析改进设备,如功功率补偿、串联谐振试验等,从而提高电能质量分析。
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