谈一谈：肖特基二极管与普通二极管的区别-壹芯微二极管

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肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。在某种程度上，瞬态二极管的发展已超越了很多的同行业务，但其从未停止脚步一直砥砺前行着。壹芯微科技技术力量雄厚,首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有丰富的研发生产经验,公司与国内外一流半导体企业定期举行技术交流并与华南理工大学建立长期研发合作关系,公司建立了高标准的二三极管可靠性实验室,配备了大量先进的专用设备。https://www.szyxwkj.com/Article/kbu1501qdc_1.html

肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约07-17伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有015-045伏特，因此可以提升系统的效率。

普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为法速恢复而发生反向漏电，比较后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为恢复和超恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SBD)，具有正向压降低(04--05V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒!前者的点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿!恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。