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新闻提要深入探讨可控硅的正向与反向阻隔机制

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发表于 2024-9-4 08:35:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

可控硅是一种具有单向导电性能的重要半导体元件,广泛应用于电力电子领域。本文对可控硅的正向和反向阻隔机制进行了深入分析,并探讨了其在DAC8228FPZ稳压器、直流输电、电机控制及电力系统保护等方面的应用,为理解可控硅的工作原理和际应用提供了参考。不仅在数据方面表现良好,齐纳二极管在市场份额上也是逐步拓进,让更多的人受益。壹芯微科技组建了优秀的生产管理团队,通过并严格执行ISO9002质量管理体系,公司从美国台湾等地引进大量先进的封装、测试全自动化设备,为壹芯微的品质奠定了坚实的基础。http://www.szyxwkj.com/article/zlejgcjxhy_1.html

可控硅(T)它是一种具有单向导电性能的半导体元件,广泛应用于电力电子技术行业。可控硅有两种屏障:正向屏障和反向屏障。以下是对这两种屏障的解读。
1、正向阻隔情况
正向阻隔是指在正向电流的影响下,可控硅处于非导通状态。在这种状态下,可控硅的阳极氧化(A)与负极(C)它们之间有一个正电流,但是可控硅导电。正向阻隔的形成与可控硅的结构和工作原理密切相关。
可控硅主要由四层半导体器件组成,分别为P1、N1、P2和N2。P1和P2是P型半导体材料,N1和N2是N型半导体材料。根据PN结连接,四层半导体器件形成四层端的结构。可控硅的个接线端子分别是阳极氧化(A)、负极(C)和门极(G)。
阳极和阴极之间存在正电流,但可控硅导电。由于P1和N1之间、P2和N2之间存在可控硅内部结构中的PN结。当正电流增加到阳极和阴极之间时,P1和N1之间的PN结处于正参考点,而P2和N2之间的PN结处于反向偏置状态。在这种情况下,可控硅内部的PN结阻挡了电流的流动性,使可控硅处于阻挡状态。
正向阻隔的产生也与可控硅的门极有关。在正向阻隔的情况下,门极没有接收到控制信号,因此可控硅内部的PN结很难形成导电安全通道。只有当门极接收到足够的控制信号时,可控硅才能从正向阻隔转变为导通状态。
2、反向阻隔情况
反向阻隔是指可控硅在反向电压的影响下处于非导电状态。在这种状态下,可控硅的阳极和阴极之间有反向电压,但可控硅导电。反向阻隔状态下的产生与可控硅的结构和工作原理密切相关。
在反向阻隔的情况下,阳极和阴极之间有一个反向电压,P1和N1之间的PN结处于反向偏置状态,而P2和N2之间的PN结处于正向参考点。由于PN结的单向导电性能,PN结在反向偏置状态下阻挡电流流动性,使可控硅处于阻隔状态。
反向阻隔的产生也与可控硅的门极有关。在反方向阻隔的情况下,门极仍然没有接收到控制信号,因此可控硅内部的PN结很难形成导电安全通道。即使在反向电压的影响下,可控硅也不会导电。
3、控制硅的关闭和阻隔系统
可控硅的关闭和阻隔机制与其内部的PN结和门极密切相关。在正向阻隔条件下,可控硅内部的PN结阻挡了电流的流动性,而门极没有接收到控制信号,难以形成导电安全通道。可控硅只有在门极接收到足够的控制信号时,才能从正向阻隔条件转变为导通条件。
在导电状态下,可控硅内部的PN结形成了导电安全通道,促进了阳极和阴极之间的电流流动。此时,可控硅的正电流减少,接近于零。导电状态下的可控硅通断压力降低极低,通断消耗极小,因此在电力电子技术行业得到了广泛的应用。
当可控硅必须从导通状态转变为阻隔状态时,可以通过降低阳极和阴极之间的中间电压来现。当工作电压降至可控硅保持工作电压以上时,可控硅内部的PN结会再次阻挡电流流动性,使可控硅回到正方向。
4、可控硅的应用
可控硅在电力电子技术领域得到了广泛的应用,主要包括以下几个方面:
(1)沟通交流稳压器:可控硅可用作沟通交流稳压器。通过调节可控硅的通断和阻隔,可以调节交流电流。
(2)DC输电:高压DC可控硅输电(HVDC)用于控制DC电压和电流的系统软件起着主导作用。
(3)电机控制系统:可控硅可作为电机控制系统行业,完成电机启动、变速、制动系统等服务。
(4)电力系统保护:可控硅可用于电力系统的过压保护、过流保护等,提高电力系统的稳定性和安全性。
(5)电能质量分析改进:可控硅可用于电能质量分析改进设备,如功功率补偿、串联谐振试验等,从而提高电能质量分析。
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